本课题结合“金刚石砷化镓光电电磁探测器预研项目”，与国防科工委装备研究院合作，利用实验室特有的大功率微波等离子体化学气相沉积装置制备出高质量的金刚石膜，以此解决GaAs光电器件一直没有得到很好解决的散热问题，以促进国防科技进步及金刚石膜的应用。借助现代仪器分析方法研究焊接金刚石膜后GaAs光电导开关的工作性能。通过所进行的试验工作，在如下方面取得了一些进展：
  1制备出了高质量半透明状的金刚石膜。热导率大于14W/（K.cm），可以满足大功率电子元器件的散热要求。
  2 对金刚石膜及砷化镓片表面进行金属化处理，保证了砷化镓片与金刚石膜的结合强度。
  3 通过理论计算，得出金刚石膜的传热结果，提出试验的理论依据，从而评价试验方法的可靠性。
  4在上述研究基础上，将开展金刚石膜砷化镓芯片的工作性能检测研究。